特許
J-GLOBAL ID：201303056231526378
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198963
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017560
特許番号：特許第4953523号
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板表面に形成され、2種以上の異なるサイズの空孔を含み、少なくとも第1のサイズの空孔が周期的に配列された周期的ポーラス構造を有するメゾポーラスシリカからなる無機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置であって、
前記無機絶縁膜は、前記第1のサイズの空孔が円柱状で、周期的に配列されており、かつ多数の小孔を有する骨格構造からなる第1のポーラス構造ドメイン層と、
層状の空孔が基板表面に平行に周期的に配列され、かつ多数の小孔を有する第2のポーラス構造ドメイン層とが、基板表面に平行に繰り返し積層されている半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
H01L 21/90 N
, H01L 21/90 V
, H01L 21/316 B
, H01L 21/316 G
, H01L 27/10 444 B
