セラミック回路基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045059
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246713
特許番号：特許第4721534号
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】セラミック基板に複数のメタライズ配線層を形成して成るセラミック回路基板であって、前記メタライズ配線層は、アルミニウム-シリコン共晶合金にタングステン,ハフニウム,チタンの水素化物,タングステンの水素化物およびハフニウムの水素化物の少なくとも1種を添加したものであり、前記メタライズ配線層の一部にアルミニウムから成る金属回路板が直接取着されており、かつ該金属回路板の断面積をS(mm2)、流れる電流をi(A)とした時、S≧9×10-5i2を満足することを特徴とするセラミック回路基板。

IPC (3件)：