特許
J-GLOBAL ID：201303057981608011

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
中田 義昭

中田 義昭 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-142057
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008925
出願日： 2011年06月27日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともAs2分子線を照射しながら第1アニールを行う。【選択図】 図4-1
請求項（抜粋）：
チャンバ内に単結晶基板を装填し、前記単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する工程と、 前記チャンバ内で、前記量子ドットに、少なくともAs2分子線を照射しながら第1アニールを行う工程と を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/203
FI (2件)：
H01S5/343 ,  H01L21/203 M
Fターム (17件)：
5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD09 ,  5F103DD12 ,  5F103LL03 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F173AG20 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR02 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (6件)
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