特許
J-GLOBAL ID：200903095431985108
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245139
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053322
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 1.3μm波長領域で発光する量子ドットの高密度化及び高品質化を実現する半導体発光素子およびその製造方法を目的とする。【解決手段】 半導体発光素子は、第1層のGaAs層と、前記第1層のGaAs層上に形成される第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層と、前記第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層上に形成される第3層のInGaAs層と、前記第3層のInGaAs層上に形成される第4層のGaAs層からなる半導体発光素子であって、前記As原料をAs2としたことを特徴とする。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
第1層のGaAs層と、
前記第1層のGaAs層上に形成される第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層と、
前記第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層上に形成される第3層のInGaAs層と、
前記第3層のInGaAs層上に形成される第4層のGaAs層
からなる半導体発光素子であって、
前記As原料をAs2としたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F173AA16
, 5F173AF05
, 5F173AF08
, 5F173AH03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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