特許
J-GLOBAL ID：201303058682712771

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器

発明者：
榎本 貴幸

榎本 貴幸 について

, 
富樫 秀晃

富樫 秀晃 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-153914
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021169
出願日： 2011年07月12日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：
【課題】半導体基板の深さ位置によらずに光電変換領域の信号電荷を全て読み出すことが可能で、これにより残像のない撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板13に形成したトレンチ17r内にゲート絶縁膜19を介して埋め込まれた読出ゲート21rと、半導体基板13の内部に設けられた光電変換領域15rとを備えている。さらに、光電変換領域15rとの間に間隔を保って、半導体基板13の表面層にフローティングディフュージョン23が設けられている。そして特に、光電変換領域15rとゲート絶縁膜19とに接して、ポテンシャル調整領域25rが設けられている。このポテンシャル調整領域25rは、半導体基板13および光電変換領域15rと同一の導電型で、かつ半導体基板13および光電変換領域15rよりも導電型の濃度が低い不純物領域である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成したトレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた読出ゲートと、 前記半導体基板の内部に設けられた光電変換領域と、 前記光電変換領域との間に間隔を保って前記半導体基板の表面層に設けられたフローティングディフュージョンと、 前記半導体基板および前記光電変換領域と同一の導電型で、かつ当該半導体基板および当該光電変換領域よりも当該導電型の濃度が低い不純物領域であって、当該光電変換領域と前記ゲート絶縁膜とに接して配置されたポテンシャル調整領域とを備えた 固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/374
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H04N5/335 740
Fターム (23件)：
4M118AA03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA23 ,  4M118CA27 ,  4M118DA23 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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