特許

J-GLOBAL ID：201303059326812997

二重磁気状態を有する磁気エレメントおよびその製造方法

発明者： ユージーン・ユージュン・チェン ,  ジョン・マイケル・スローター ,  マーク・ダーラム ,  マーク・デヘレーラ ,  サイエド・エヌ・テラニ
出願人/特許権者： エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本田 淳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383163
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250999
特許番号：特許第4969725号
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】磁気エレメントであって、 特定の強度を有するように印加された磁界の存在下において、磁気モーメントが好適な方向に向けられる被固定強磁性体層(24)から成る第1電極(14)と、 十分な印加磁界の存在下において磁化が自由に回転する表面を有する自由強磁性体層(30)から成る第2電極(18)と、 前記第1電極の被固定強磁性体層と前記第2電極の自由強磁性体層との間に位置するスペーサ層(16)と、 基板(12)であって、その上に前記第1,第2電極および前記スペーサ層が形成されるところの基板(12)とを備え、 前記被固定強磁性体層から前記自由強磁性体層への反磁界減少のために前記第2電極より大きな前記第1電極及び前記スペーサ層を与えることにより、前記被固定強磁性体層および前記自由強磁性体層間の正結合を相殺することを特徴とする磁気エレメント。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01) ,  G11B 5/39 ( 200 6.01) ,  H01F 10/26 ( 200 6.01) ,  H01F 41/14 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 43/12 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/14 ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-276238   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-327327   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-117237   出願人：株式会社東芝
• スピンバルブ型薄膜素子の製造方法及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-118949   出願人：アルプス電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Neel "orange-peel" coupling in magnetic tunneling junction devices"