特許
J-GLOBAL ID:201303062138890051

半導体装置、半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (19件): 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-033426
公開番号(公開出願番号):特開2013-171891
出願日: 2012年02月17日
公開日(公表日): 2013年09月02日
要約:
【課題】半導体チップから冷却器までの熱抵抗を軽減すると共に、金属ブロックの組み立て誤差を原因とする絶縁層の厚さばらつきを抑えることで放熱性能を高めることができる半導体装置を提供する。【解決手段】両面にそれぞれエミッタ電極・コレクタ電極、及び、少なくとも一方の面に制御電極を有する半導体チップ40と、半導体チップのエミッタ電極に接合された金属材製のエミッタ板50と、半導体チップのコレクタ電極に接合された金属材製のコレクタ板60と、制御電極に金属細線を介して接続された接続端子と、半導体チップ、エミッタ板、コレクタ板、及び、接続端子の一部を、エミッタ板の半導体チップとの接合面に対し垂直なエミッタ導電面52及びコレクタ板の半導体チップとの接合面に対し垂直なコレクタ導電面62を露出させて封止するモールド樹脂80を具備する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
両面にそれぞれエミッタ電極・コレクタ電極、及び、少なくとも一方の面に制御電極を有する半導体チップと、 この半導体チップの上記エミッタ電極に接合された金属材製のエミッタ板と、 上記半導体チップの上記コレクタ電極に接合された金属材製のコレクタ板と、 上記制御電極に金属細線を介して接続された接続端子と、 上記半導体チップ、上記エミッタ板、上記コレクタ板、及び、上記接続端子の一部を、上記エミッタ板の上記半導体チップとの接合面に対し垂直なエミッタ導電面及び上記コレクタ板の上記半導体チップとの接合面に対し垂直なコレクタ導電面を露出させて封止するモールド樹脂を具備し、 上記エミッタ導通面の面積が上記半導体チップのエミッタ電極の面積より大きく、上記コレクタ導通面の面積が上記半導体チップのコレクタ電極の面積より大きく、上記コレクタ導通面の面積が上記エミッタ導通面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/36
FI (3件):
H01L23/48 L ,  H01L25/04 C ,  H01L23/36 Z
Fターム (9件):
5F136BA30 ,  5F136BB05 ,  5F136BB11 ,  5F136BC03 ,  5F136DA07 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03
引用特許:
審査官引用 (6件)
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