特許
J-GLOBAL ID:201003059956972346

パワーモジュール及びパワー半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-002232
公開番号(公開出願番号):特開2010-161188
出願日: 2009年01月08日
公開日(公表日): 2010年07月22日
要約:
【課題】生産性が高く、小型軽量化が実現可能なパワーモジュール及びパワー半導体装置を提供する。【解決手段】パワーモジュール101の厚みと同じ高さを有する少なくとも一対の金属ブロック112-1,112-2を備え、各金属ブロックの放熱面112aは、パワーモジュールの側面に露出する。電力用半導体素子111は、各金属ブロックにおけるパワーモジュールの厚み方向に沿う素子保持面112b間に挟んで保持される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
動作により発熱する電力用半導体素子を内蔵し対向する2つの側面にて規定される厚みを有するパワーモジュールであって、 上記厚みと同じ高さを有し、かつ上記2つの側面にそれぞれ露出し対向する放熱面、及び上記放熱面に垂直な素子保持面を有する金属ブロックを少なくとも一対備え、 上記一対の金属ブロックは、互いに上記素子保持面を対向させて配置され、上記電力用半導体素子は、上記素子保持面間に挟まれて保持される、ことを特徴とするパワーモジュール。
IPC (1件):
H01L 23/40
FI (1件):
H01L23/40 E
Fターム (12件):
5F136BC03 ,  5F136DA01 ,  5F136DA25 ,  5F136EA23 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA17 ,  5F136FA51 ,  5F136FA82 ,  5F136FA84
引用特許:
審査官引用 (10件)
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