特許
J-GLOBAL ID：201303064148246030

窒化物系半導体発光素子

発明者：
小出 典克

小出 典克 について

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幡 俊雄

幡 俊雄 について

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筆田 麻祐子

筆田 麻祐子 について

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木村 大覚

木村 大覚 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-009909
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070107
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】光の外部取り出し効率を向上させ、かつ素子の駆動電圧を低減させることのできる窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、凹凸は、成長用基板上にn型窒化物系半導体層、発光層およびp型窒化物系半導体層を成長した後に該成長用基板を除去した該n型窒化物系半導体層面上に該n型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成されたものである窒化物系半導体発光素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、 前記凹凸は、シリコンからなる成長用基板上にバッファ層、n型窒化物系半導体層、発光層およびp型窒化物系半導体層を成長した後に該シリコンからなる成長用基板をエッチングまたは研磨により除去し、前記バッファ層を除去した、該n型窒化物系半導体層面上に該n型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成されたものであることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186
Fターム (14件)：
5F141AA03 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA83 ,  5F141CA88 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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