特許

J-GLOBAL ID：200903044957620607

半導体複合基板とそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 荻原 光彦
出願人/特許権者： 株式会社沖データ ,  株式会社沖デジタルイメージング
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-280844
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095845
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【目的】 窒化物化合物半導体層を含む半導体層を成長する基板から良好に剥離でき、量産性に優れた半導体複合基板とその半導体複合基板を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体複合基板は、所定のエッチング液に対して耐性を有する第1の基板と、前記第1の基板上に形成され前記所定のエッチング液により除去可能とされる除去可能層と、前記除去可能層上に形成され前記所定のエッチング液に対して耐性を有する窒化物化合物半導体層とを有することを特徴とする。レーザーリフトオフ法などを用いることを必要とせずに、窒化物化合物半導体層を含む半導体層を成長する基板から良好に剥離でき、半導体装置の製造を量産性に優れたものとすることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

所定のエッチング液に対して耐性を有する第1の基板と、 前記第1の基板上に形成され前記所定のエッチング液により除去可能とされる除去可能層と、 前記除去可能層上に形成され前記所定のエッチング液に対して耐性を有する窒化物化合物半導体層とを有することを特徴とする半導体複合基板。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (21件)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F173AG12 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH48 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP36 ,  5F173AP37 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-219179   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (5件)

• 窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-239835   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-106058   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
• III族窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354572   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-337061   出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
• 窒化物系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-059726   出願人：三洋電機株式会社