半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：速水進治 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-034120
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171931
出願日： 2012年02月20日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】縦型のトランジスタにおいて、オン抵抗を低くしつつ、ドレイン耐圧を高くする。【解決手段】ドリフト層120はドレイン層110より上に形成されており、第1導電型を有している。ゲート絶縁膜170は凹部142の側壁に形成されている。底面絶縁膜172は、凹部142の底面に形成されている。ゲート電極180は凹部142に埋め込まれている。ソース層150はチャネル層140に形成されている。第1導電型層130はチャネル層140とドリフト層120の間に位置している。第1導電型層130の不純物濃度は、ドリフト層120の不純物濃度よりも高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層より上に形成され、前記ドレイン層よりも不純物濃度が低い第1導電型のドリフト層と、前記ドリフト層上に位置する第2導電型のチャネル層と、前記チャネル層に形成され、下端が前記チャネル層よりも下に位置している凹部と、前記凹部の側壁に形成されたゲート絶縁膜と、前記凹部の底面に形成された底面絶縁膜と、前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、前記チャネル層に、前記チャネル層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置する第1導電型のソース層と、前記チャネル層と前記ドリフト層の間に位置し、前記ドリフト層よりも不純物濃度が高い第1導電型層と、を備え、厚さ方向で見た場合、前記第1導電型層は、上端及び下端の少なくとも一方、並びに中心が、前記底面絶縁膜と重なっている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/06

FI (9件)：

H01L29/78 652J , H01L29/78 652S , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 653C , H01L29/78 658G , H01L29/06 301D , H01L29/06 301V

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-016584 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
速度飽和モードでの動作時に線形伝達特性を持つMOSFETデバイスとその製造方法及び動作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-505689 出願人：シリコン・ワイヤレス・コーポレイション, ジャイアント・セミコンダクター・コーポレイション
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-157594 出願人：株式会社デンソー

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