熱処理方法および熱処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-208644
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069962
出願日： 2011年09月26日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理装置1のチャンバー6内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーWが搬入され、保持プレート7によって保持される。フィルタ機構2は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ20をチャンバー6のチャンバー窓61とフラッシュ照射部5のフラッシュランプFLとの間に挿入する。フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光がフィルタ20を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーWの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、基板をチャンバー内に収容して保持手段に保持する収容工程と、前記保持手段に保持された前記基板に悪影響を及ぼす波長域の光をカットしたフラッシュ光を前記基板に照射するフラッシュ光照射工程と、を備えることを特徴とする熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/26 , H01L 21/027 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L21/26 J , H01L21/30 567 , H01L21/30 571 , H01L21/31 E

Fターム (17件)：

5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045BB20 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EK12 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF37 , 5F058BH17 , 5F146DA29 , 5F146KA02 , 5F146KA04 , 5F146KA10 , 5F146LA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-004825 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
ランプアニール装置および表示素子用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-026790 出願人：松下電器産業株式会社
熱処理方法及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-267654 出願人：株式会社東芝

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