炭化ケイ素半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-018513
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157539
出願日： 2012年01月31日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】炭化ケイ素半導体の(000-1)面、(11-20)面を、ウェット酸化+水素POAすることによって得られた低い界面準位密度が後工程で施す熱処理によって増加するのを抑制し、高いチャネル移動度を実現する。【解決手段】炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、炭化ケイ素半導体の(000-1)面、あるいは(11-20)面上に、酸素と水分を含むガス中での熱酸化が含まれる工程でゲート絶縁膜を形成する第1の工程と、該ゲート絶縁膜を形成した後に水素を含んだ雰囲気で熱処理する第2の工程を有している。そして、この第2の工程におけるゲート絶縁膜形成後の水素を含んだ雰囲気での熱処理温度を、第2の工程以降で行われる工程での熱処理温度以上とした。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素半導体の(000-1)面、あるいは(11-20)面上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中での熱酸化が含まれる工程で前記炭化ケイ素半導体の(000-1)面あるいは(11-20)面に接するようにゲート絶縁膜を形成する第1の工程と、該ゲート絶縁膜を形成した後に水素を含んだ雰囲気で熱処理する第2の工程を含む炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記第2の工程において、前記ゲート絶縁膜形成後の水素を含んだ雰囲気で熱処理する際の熱処理温度を、前記第2の工程の後に行われる工程での熱処理温度以上としたことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301F , H01L21/316 S , H01L21/316 P

Fターム (27件)：

5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BF55 , 5F058BF63 , 5F058BH02 , 5F058BJ04 , 5F140AA05 , 5F140AB09 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BH21 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ03 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140BK38 , 5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (5件)

炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-040097 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-040096 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-113343 出願人：株式会社デンソー

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