炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-040096
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244455
出願日： 2008年02月21日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度(800〜900°C)以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するp型ベース層の界面のダングリングボンドをHもしくはOHの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルMOSFETとすることが可能となる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる基板(1、31、61)と、前記基板(1、31、61)に形成され、(0001)Si面に垂直な面をチャネル面とする炭化珪素からなるチャネル領域(2、34、64)と、前記チャネル領域(2、34、64)を電流経路として、該電流経路の上下流に配置された第1不純物領域(4、36、66、67)および第2不純物領域(5、37、73)と、前記チャネル領域(2、34、64)の表面に備えたゲート絶縁膜(6、38、68)と、前記ゲート絶縁膜(6、38、68)の上に形成されたゲート(7、35、65)と、を備えることで構成したMOS構造を有し、前記ゲート(7、35、65)への印加電圧を制御することで前記チャネル領域(2、34、64)に形成されるチャネルを制御し、前記第1不純物領域(4、36、66、67)および前記第2不純物領域(5、37、73)の間に流れる電流を制御するように構成される炭化珪素半導体装置であって、前記チャネル領域(2、34、64)と前記ゲート絶縁膜(6、38、68)の界面における水素濃度が2.6×1020cm-3以上となっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 652E , H01L21/316 S , H01L21/316 B , H01L21/316 P

Fターム (48件)：

5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF63 , 5F058BH02 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD20 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF58 , 5F140BG05 , 5F140BG46 , 5F140BH21 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140CC03 , 5F140CC05 , 5F140CC09 , 5F140CC13 , 5F140CC19

引用特許：

出願人引用 (4件)

特許第3443589号公報
特許第3491050号公報
特許第3525149号公報

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審査官引用 (13件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-256973 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-084062 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
SiC-MISFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-403296 出願人：松下電器産業株式会社

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