特許
J-GLOBAL ID:200903033838958339

カーボンナノチューブを成長および収集するための方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-519331
公開番号(公開出願番号):特表2008-544939
出願日: 2006年06月08日
公開日(公表日): 2008年12月11日
要約:
カーボンナノチューブ、特に、シリコンウェハなどの平坦基板上で単層カーボンナノチューブを直接成長させ、続いて、ナノチューブを重合体フィルムの表面に移行する、またはカーボンナノチューブを平坦基板から別に収集する方法。カーボンナノチューブの形成方法であって、移動可能な支持機構上に平坦基板を配置するステップと、平坦基板に触媒前駆体溶液を適用して触媒平坦基板を形成するステップと、反応器内に触媒平坦基板を配置するステップと、触媒平坦基板上にカーボンナノチューブを生成する条件下で、加熱した炭素含有ガスまたはガス化した液体に触媒平坦基板を曝し、カーボンナノチューブを有する触媒平坦基板を形成するステップとを包含する、方法。
請求項(抜粋):
カーボンナノチューブの形成方法であって、 移動可能な支持機構上に平坦基板を配置するステップと、 該平坦基板に触媒前駆体溶液を適用して触媒平坦基板を形成するステップと、 反応器内に該触媒平坦基板を配置するステップと、 該触媒平坦基板上にカーボンナノチューブを生成する条件下で、加熱した炭素含有ガスまたはガス化した液体に該触媒平坦基板を曝し、カーボンナノチューブを有する触媒平坦基板を形成するステップと を包含する、方法。
IPC (1件):
C01B 31/02
FI (1件):
C01B31/02 101F
Fターム (21件):
4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BA11 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC08 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA26 ,  4G146DA27
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6,333,016号明細書
  • 米国特許第6,413,487号明細書
  • 米国特許出願公開第2002/0165091号明細書
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審査官引用 (8件)
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