特許

J-GLOBAL ID：201303066552993607

窒化物半導体装置

発明者： 大野 陽平 ,  金子 修一 ,  馬場 良平 ,  金子 信男
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-176826
公開番号（公開出願番号）：特開2013-062494
出願日： 2012年08月09日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】ドレイン配線電極に起因する電流コラプス現象への影響が抑制され、且つ耐圧が向上された窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるデバイス層と、デバイス層上に互いに離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極間でデバイス層上に配置されたゲート電極と、デバイス層上に配置された層間絶縁膜と、ドレイン電極とゲート電極間において層間絶縁膜を介してデバイス層と対向して配置され、ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン配線電極と、ゲート電極とドレイン電極間においてデバイス層上に層間絶縁膜を介してデバイス層と対向して配置されたドレイン電極に比べて低電位側のフィールドプレートとを備え、ドレイン配線電極下方の層間絶縁膜の膜厚が、フィールドプレート下方の層間絶縁膜の膜厚よりも厚い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなるデバイス層と、 前記デバイス層上に互いに離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極間で前記デバイス層上に配置されたゲート電極と、 前記デバイス層上に配置された層間絶縁膜と、 前記ドレイン電極と前記ゲート電極間において前記層間絶縁膜を介して前記デバイス層と対向して配置され、前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン配線電極と、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極間において前記デバイス層上に前記層間絶縁膜を介して前記デバイス層と対向して配置された、前記ドレイン電極に比べて低電位側のフィールドプレートと を備え、前記ドレイン配線電極下方の前記層間絶縁膜の膜厚が、前記フィールドプレート下方の前記層間絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/44 Y ,  H01L21/28 301B

Fターム (33件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104DD07 ,  4M104DD17 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-079229   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-105161   出願人：ユーディナデバイス株式会社
• 窒化物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-267476   出願人：松下電器産業株式会社
• 電界効果半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-080094   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-325409   出願人：サンケン電気株式会社