特許

J-GLOBAL ID：201303069507239615

化合物半導体基板

発明者： 江里口 健一 ,  小宮山 純 ,  大石 浩司 ,  阿部 芳久 ,  吉田 晃 ,  鈴木 俊一
出願人/特許権者： コバレントマテリアル株式会社
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-171737
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038157
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】化合物半導体層全体の膜厚を抑制しつつ、半導体素子の高い性能と信頼性を両立することのできる化合物半導体基板を提供する。【解決手段】シリコン単結晶の基板12と、基板上に形成される化合物半導体の第1の半導体層16と、第1の半導体層上に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい、化合物半導体の障壁層18と、障壁層上に形成され、障壁層よりもバンドギャップエネルギーの小さい化合物半導体の第2の半導体層20と、第2の半導体層上に形成され、第2の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい化合物半導体の第3の半導体層22とを有することを特徴とする化合物半導体基板。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶の基板と、 前記基板上に形成され、炭素濃度が1×1018/cm3以上1×1021/cm3以下である化合物半導体の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成され、炭素濃度が5×1017/cm3以下であり、前記第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい、化合物半導体の障壁層と、 前記障壁層上に形成され、炭素濃度が5×1017/cm3以下であり、前記障壁層よりもバンドギャップエネルギーの小さい化合物半導体の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に形成され、前記第2の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい化合物半導体の第3の半導体層と、 を有することを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-030341   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体積層構造、トランジスタ素子、およびトランジスタ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-092615   出願人：日本碍子株式会社
• 電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-318658   出願人：国立大学法人名古屋大学
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-094824   出願人：富士通株式会社