特許
J-GLOBAL ID：201303069737624704

自己絶縁型導電性ブリッジメモリデバイス

発明者：
リュドヴィック・グー

リュドヴィック・グー について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-021596
公開番号（公開出願番号）：特開2013-162131
出願日： 2013年02月06日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】大きなメモリウインドウを有するCBRAMメモリデバイスを提供する。【解決手段】導電性ブリッジランダムアクセスメモリデバイスが開示されており、第2金属カチオンを供給するように構成された第2金属層と、第2金属層に近接した絶縁体層であって、第1絶縁体層と、第2金属層に近接した第2絶縁体層とを含む絶縁体層と、第1絶縁体層に近接した第1金属層であって、第2金属層とは反対側にある第1金属層とを備え、第2絶縁体層の密度は第1絶縁体層の密度より大きい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
・第2金属カチオンを供給するように構成された第2金属層と、 ・第2金属層に近接した絶縁体層であって、第1絶縁体層と、第2金属層に近接した第2絶縁体層とを含む絶縁体層と、 ・第1絶縁体層に近接した第1金属層であって、第2金属層とは反対側にある第1金属層とを備え、 第2絶縁体層の密度は第1絶縁体層の密度より大きい、導電性ブリッジランダムアクセスメモリデバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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