不揮発性抵抗変化素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (17件)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-160209
公開番号（公開出願番号）：特開2013-026459
出願日： 2011年07月21日
公開日（公表日）： 2013年02月04日
要約：

【課題】デバイス特性の劣化やバラツキを低減でき、整流機能を有する不揮発性抵抗変化素子を提供する。【解決手段】金属元素を含む上部電極1と、n型半導体を含む下部電極2と、上部電極1と下部電極2との間に配置され、上部電極1が含む金属元素から構成される導体部を有する抵抗変化層3とを備える。抵抗変化層3が有する導体部は下部電極2との間に離間を有している。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

金属元素を含む第1電極と、 n型半導体を含む第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極が含む前記金属元素から構成される導体部を有する半導体元素を含む層とを具備し、前記半導体元素を含む層が有する前記導体部は前記第2電極との間に離間を有していることを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , G11C 13/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 481 , G11C13/00 110C , G11C13/00 110R

Fターム (18件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083PR21 , 5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (7件)

情報記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-182131 出願人：株式会社東芝
不揮発性メモリ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-198229 出願人：株式会社東芝
抵抗変化機能体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074113 出願人：シャープ株式会社, 辻博司, 石川順三

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