向上した信頼性を有するメモリデバイスおよびCBRAMメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：村山靖彦 , 志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-520451
公開番号（公開出願番号）：特表2011-529630
出願日： 2009年07月27日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

少なくとも、導電材料に基づく不活性電極(107)と、不活性電極の周囲に配置され、不活性電極の材料より高い抵抗率を有する、少なくとも1つの材料の部分(108)と、不活性電極の、および電気的絶縁材料の部分の、少なくとも1つの部分上に配置される固体電解質(111)であって、この固体電解質上に配置されるイオン化可能金属部分(113)から出る金属イオンを有する固体電解質とを含み、不活性電極の材料より高い抵抗率を有する材料の電気抵抗率の係数と、不活性電極の材料の電気抵抗率の係数との比が、約100以上であり、電気的絶縁材料の熱伝導率の係数が、約10W・m-1・K-1以上であるメモリデバイス(100)。

請求項（抜粋）：

少なくとも、導電材料を含む1つの不活性電極(107)と、前記不活性電極(107)の周囲に配置される、前記不活性電極(107)の材料の抵抗率より高い抵抗率の、少なくとも1つの材料の部分(108)と、前記不活性電極(107)の、および電気的絶縁材料(108)の部分の、少なくとも1つの部分上に配置される固体電解質(111)であって、前記固体電解質(111)上に配置されるイオン化可能金属部分(113)から発生する金属イオンを含む固体電解質とを含み、前記不活性電極(107)の材料の抵抗率より高い抵抗率の材料の電気抵抗率の係数と、前記不活性電極(107)の材料の電気抵抗率の係数との間の比が、約100以上であり、前記電気的絶縁材料の熱伝導率の係数が、約10W・m-1・K-1以上であるメモリデバイス(100)。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (5件)

記憶素子及び記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-122311 出願人：ソニー株式会社
保持時間及び書き込み速度の改善したPMCメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-547596 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
記憶素子の製造方法、記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-142829 出願人：ソニー株式会社

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