不揮発性メモリ装置及び不揮発性メモリ装置を制御するコントローラの動作方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-254099
公開番号（公開出願番号）：特開2013-109823
出願日： 2012年11月20日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】向上された動作速度を有する不揮発性メモリ装置及び不揮発性メモリ装置を制御するコントローラの動作方法を提供する。【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置は、データのプログラム、読出し又は消去を遂行する第1プレーン、データのプログラム、読出し又は消去を遂行する第2プレーン、及び第1プレーン又は第2プレーンから共通バスを通じて伝送されるデータを外部へ出力し、外部から受信されるデータを、共通バスを通じて第1プレーン又は第2プレーンへ伝送するデータ入出力回路を含む。第1プレーンでプログラム、読出し又は消去が遂行される時、データ入出力回路は共通バスを通じて第2プレーンとデータを交換する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

データのプログラム、読出し又は消去を遂行するように構成される第1プレーンと、データのプログラム、読出し又は消去を遂行するように構成される第2プレーンと、前記第1プレーン又は前記第2プレーンから共通バスを通じて伝送されるデータを外部へ出力し、外部から受信されるデータを、前記共通バスを通じて前記第1プレーン又は前記第2プレーンへ伝送するように構成されるデータ入出力回路と、を含み、前記第1プレーンで前記プログラム、読出し又は消去が遂行される時、前記データ入出力回路は前記共通バスを通じて前記第2プレーンとデータを交換することを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (4件)：

G11C17/00 614 , G11C17/00 631 , G11C17/00 632A , G11C17/00 636

Fターム (29件)：

5B125BA02 , 5B125CA01 , 5B125CA08 , 5B125DA05 , 5B125DA09 , 5B125DB08 , 5B125DB11 , 5B125DC08 , 5B125DC11 , 5B125DE06 , 5B125DE12 , 5B125DE20 , 5B125EA05 , 5B125EA07 , 5B125ED07 , 5B125EE04 , 5B125EE10 , 5B125EE19 , 5B125EF02 , 5B125EF03 , 5B125EF10 , 5B125EG02 , 5B125EG04 , 5B125EK01 , 5B125EK02 , 5B125EK07 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

複数の独立したシリアルリンクメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-532550 出願人：モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
フラッシュメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-165859 出願人：インテル・コーポレーション
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-349388 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る