特許
J-GLOBAL ID：200903043713231890

不揮発性半導体メモリ装置

発明者：
助川 博

助川 博 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349388
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167586
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 1メモリチップを複数メモリチップと同様に制御可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 メモリチップ1は、それぞれ内部に書き込みシーケンス制御を行う制御回路を内蔵した複数のEEPROM回路2を有する。EEPROM回路2はデータバス3を共有する。各EEPROM回路2はそれぞれ、イネーブル端子CEとReady/Busy端子R/Bを有し、各EEPROM回路2での並列的なデータ書き込み処理を可能としている。
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能な不揮発性半導体メモリ装置であって、1メモリチップ内に、それぞれ書き込みのシーケンス制御を行う制御回路を有する複数のメモリ回路がデータバスを共有して搭載され、且つ前記各メモリ回路毎に活性、非活性を制御するイネーブル端子が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
Fターム (2件)：
5B025AD00 ,  5B025AE00
引用特許：
審査官引用 (6件)
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