特許
J-GLOBAL ID：201303071268779836

磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置

発明者：
才田 大輔

才田 大輔 について

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天野 実

天野 実 について

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大沢 裕一

大沢 裕一 について

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伊藤 順一

伊藤 順一 について

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與田 博明

與田 博明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-206662
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069820
出願日： 2011年09月21日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】高密度化が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記憶素子が提供される。積層体は第1積層部と第2積層部とを含む。第1積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第1の方向に磁化が固定された第1強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層との間の第1非磁性層と、を含む。第2積層部は、積層方向に沿って第1積層部と積層される。第2積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第3強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第2の方向に磁化が固定された第4強磁性層と、第3強磁性層と第4強磁性層との間の2非磁性層と、を含む。積層方向を法線とする平面で切断したとき、第3強磁性層の断面積は前記第1積層部よりも小さい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
膜面に対して垂直な成分を有する第1の方向に磁化が固定された第1強磁性層と、 磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第2強磁性層と、 前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、 を含む第1積層部と、 前記第1強磁性層、前記第2強磁性層及び前記第1非磁性層が積層される積層方向に沿って前記第1積層部と積層され、 磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第3強磁性層と、 前記第3強磁性層と前記積層方向に沿って積層され、膜面に対して垂直な成分を有する第2の方向に磁化が固定された第4強磁性層と、 前記第3強磁性層と前記第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、 を含む第2積層部と、 を含む積層体を備え、 前記積層方向に対して垂直な平面で切断したときの前記第3強磁性層の断面積は、前記積層方向に対して垂直な平面で切断したときの前記第1積層部の断面積よりも小さく、 前記積層方向に沿って前記積層体に電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第2強磁性層に作用させ、且つ、前記第3強磁性層の磁化を歳差運動させることにより発生する回転磁界を前記第2強磁性層に作用させることにより、前記第2強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (40件)：
4M119AA05 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD45 ,  4M119DD52 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BC47 ,  5F092BE06 ,  5F092BE27 ,  5F092GA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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