特許
J-GLOBAL ID：201303072057612478

タンデム太陽電池セルおよびその製造方法

発明者：
重川 直輝

重川 直輝 について

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小林 康之

小林 康之 について

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渡邉 則之

渡邉 則之 について

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横山 春喜

横山 春喜 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-223855
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084784
出願日： 2011年10月11日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】タンデム太陽電池セルの作製にコストの上昇を招くことなく、より効率よく発電ができるようにする。【解決手段】n型窒化物受光層104,p型窒化物受光層105,および接合層106は、半導体層103の上に結晶成長することで形成されている。例えば、サファイアなどの基板201の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層202の上に、半導体層103を結晶成長しておき、この上に、n型窒化物受光層104,p型窒化物受光層105,および接合層106を順次に結晶成長する。次いで、接合層106にn型シリコン受光層102を接合し、この後、分離層202で基板201より分離することで形成できる。分離層202は、グラファイト同様に機械加工が容易であり、分離層202で容易に分離が可能である。【選択図】図2E
請求項（抜粋）：
p型のシリコン基板、および前記シリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルを形成する工程と、 基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、 前記分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる半導体層を結晶成長する工程と、 前記半導体層の上にシリコンと前記半導体層との間のバンドギャップエネルギーを有するn型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層を結晶成長する工程と、 前記n型窒化物受光層の上に前記n型窒化物受光層と同じバンドギャップエネルギーのp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を結晶成長する工程と、 前記p型窒化物受光層の上に前記n型窒化物受光層よりバンドギャップエネルギーの大きなn型の窒化物半導体からなる接合層を結晶成長する工程と、 前記接合層の上に前記n型シリコン受光層を接合する工程と、 前記n型窒化物受光層およびp型窒化物受光層からなる第2太陽電池サブセルと前記基板とを前記分離層で分離する工程と を少なくとも備えることを特徴とするタンデム太陽電池セルの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 Y
Fターム (5件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA08 ,  5F151CB30 ,  5F151DA15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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