特許
J-GLOBAL ID：201303072160428111

半導体処理のためのコーティング材料を備えたガス分配シャワーヘッド

発明者：
サン ジェニファー

サン ジェニファー について

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サッチ セン

サッチ セン について

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デュアン レングアン

デュアン レングアン について

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グレイブス トーマス

グレイブス トーマス について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-552890
公開番号（公開出願番号）：特表2013-519790
出願日： 2011年01月25日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：
本明細書において説明されるのは、一実施形態において、ガス分配シャワーヘッドアセンブリを製作するための例示的な方法及び装置である。一実施形態において、この方法は、半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第1のセットの貫通孔を有するガス分配プレートを提供することを含む。この第1のセットの貫通孔は、プレート(例えば、アルミニウムの基板)の背面上に位置する。この方法は、ガス分配プレートの洗浄された表面上にコーティング材料(例えば、イットリアベースの材料)を噴霧(例えば、プラズマ噴霧)することを含む。この方法は、コーティング材料の厚さを低減するために、表面からコーティング材料の一部分を除去(例えば、表面研削)することを含む。この方法は、コーティング材料内に第2のセットの貫通孔を形成(例えば、UVレーザー穿孔、加工)し、この第2のセットの貫通孔は第1のセットの貫通孔に合わせて配置されるようにすることを含む。
請求項（抜粋）：
半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第1のセットの貫通孔を有するガス分配プレートと、 前記ガス分配プレート上に噴霧されるコーティング材料とを含み、 前記コーティング材料は前記半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための前記第1のセットの貫通孔に合わせて配置された第2のセットの貫通孔を有する、 半導体プロセスチャンバ内で用いられるためのガス分配シャワーヘッドアセンブリ。
IPC (2件)：
C23C 4/10 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
C23C4/10 ,  H01L21/302 101L
Fターム (13件)：
4K031AA08 ,  4K031AB02 ,  4K031AB09 ,  4K031CB42 ,  4K031DA04 ,  4K031FA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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