特許
J-GLOBAL ID：201303078248523732

半導体装置

発明者：
松田 志津江

松田 志津江 について

, 
佐藤 慎吾

佐藤 慎吾 について

, 
齋藤 渉

齋藤 渉 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 砂井 正之 ,  藤原 康高 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107188
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080893
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：
【課題】パワーデバイスのデバイス終端部の幅を短縮化する。【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、トレンチ構造体と第2の半導体層が設けられる。トレンチ構造体は、デバイス部とデバイス終端部を有する第1導電型の第1の半導体層の、デバイス終端部表面に溝が設けられ、溝を覆うように絶縁物が埋設される。第2の半導体層は、第2導電型を有し、第1の半導体層表面に設けられ、溝の少なくともデバイス部側に接し、溝よりも深さが浅い。絶縁物と半導体装置の表面保護膜は同じ材質である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
デバイス部とデバイス終端部を有する第1導電型の第1の半導体層の、前記デバイス終端部表面に溝が設けられ、前記溝を覆うように絶縁物が埋設されたトレンチ構造体と、 前記第1の半導体層表面に設けられ、前記溝の少なくとも前記デバイス部側に接し、前記溝よりも深さが浅い第2導電型の第2の半導体層と、 を具備し、前記絶縁物と半導体装置の表面保護膜は同じ材質であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06
FI (6件)：
H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658J ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301S
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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