特許
J-GLOBAL ID：201103080913998518

半導体装置、及びその製造方法

発明者：
二宮 仁

二宮 仁 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-279432
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124325
出願日： 2009年12月09日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】小型化が可能であって、かつ、外周領域の耐圧向上を効果的に図ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置50は、縦方向に電流を流す半導体装置であって、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1導電型の半導体層2、及び第1導電型の半導体層2とPN接合面7を形成する第2導電型の半導体層3が少なくとも設けられた半導体層10と、平面視上の外周終端部、若しくはその近傍において、半導体層10の表面からPN接合面7よりも深部に到達するように形成され、少なくとも壁面が絶縁層5によって被覆されているトレンチ9とを備える。トレンチ9の内側側壁6は、PN接合面7と当接しており、トレンチ9の内側側壁6と、PN接合面9との成す角度θは、鋭角とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
縦方向に電流を流す半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第1導電型の半導体層、及び前記第1導電型の半導体層とPN接合面を形成する第2導電型の半導体層が少なくとも設けられた半導体層と、 平面視上の外周終端部、若しくはその近傍において、前記半導体層の表面から前記PN接合面よりも深部に到達するように形成され、少なくとも壁面が絶縁層によって被覆されているトレンチと、 を備え、 前記トレンチの内側側壁は、前記PN接合面と当接しており、前記トレンチの内側側壁と、前記PN接合面との成す角度が鋭角である半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/76
FI (3件)：
H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 652C
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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