特許
J-GLOBAL ID：201303078261668561

発光装置、及び発光装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047764
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219025
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】電圧降下が抑制され、高い光取り出し効率が実現された発光装置を提供する。または、生産性が高められた発光装置を提供する。または、信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】光射出側の電極として3nm以上50nm以下と極めて薄い導電膜を用い、当該電極に接して、補助配線を設ける構成とすればよい。また補助配線を100μm以下の線幅とすることにより、肉眼ではほとんど視認されることがなく、取り出し効率が向上し且つ均一な発光輝度の発光を呈する発光装置とすることができる。極めて細い線幅の補助配線は、ナノインプリント技術により形成できる。ナノインプリント技術を用いることにより、補助配線の線幅を10nm以下にまで細線化することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に第1の電極層と、 前記第1の電極層上に重なる第2の電極層と、 前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に発光性の有機化合物を含む層と、 前記第2の電極層の上面に接する第1の補助配線と、を備え、 前記第1の電極層は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して反射性を有し、 前記第2の電極層は、前記発光に対して透光性を有し、且つ厚さが3nm以上50nm以下である、 発光装置。
IPC (5件)：
H05B 33/26 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10
FI (5件)：
H05B33/26 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10
Fターム (18件)：
3K107AA01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC05 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107DD03 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD37 ,  3K107EE29 ,  3K107EE42 ,  3K107EE46 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107GG01 ,  3K107GG11 ,  3K107GG28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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