特許
J-GLOBAL ID：201303079015405019
発光素子及び発光デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-058453
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120945
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：
【課題】PN接合部で見た電流密度を大幅に向上させるとともに、ヒートシンク効果(放熱効果)を最大化し、発光量の増大、発光効率向上を図った発光素子及び発光デバイスを提供すること。【解決手段】PN半導体積層構造1、P型半導体層11及びN型半導体層13が重なる部分と、重ならない部分14とを有する。重ならない部分14は、重なる部分の側方に配置され、配置方向で見た幅W1が、重なる部分の幅W2よりも狭幅で、N型半導体層13が現れている。P側電極5及びN側電極7は、光出射面30とは反対側の面にある。N側電極7は、重ならない部分14において、N型半導体層13の上に設けられ、P型半導体層11及びP側電極5から絶縁ギャップG1により電気絶縁されている。P側電極5は、絶縁ギャップG1を除き、P型半導体層11の表面のほぼ全面を覆っている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
P型半導体層及びN型半導体層を積層したPN半導体積層構造と、前記P型半導体層のP側電極と、前記N型半導体層のN側電極とを含む発光素子であって、
前記PN半導体積層構造は、前記P型半導体層及び前記N型半導体層が重なる部分と、重ならない部分とを有し、
前記重ならない部分は、前記重なる部分の側方に配置され、配置方向で見た幅が、前記重なる部分よりも狭幅であり、
前記P側電極及びN側電極は、光出射面とは反対側の面にあり、
前記P側電極及び前記N側電極のうちの一方の電極は、前記P型半導体層及び前記N型半導体層のうちの一方の表面であって、前記重なる部分に設けられており、
他方の電極は、前記重ならない部分において、他方の半導体層の上に設けられ、前記一方の半導体層及び前記一方の電極から絶縁ギャップにより電気絶縁されており、
前記一方の電極は、前記絶縁ギャップを除き、前記一方の半導体層の前記表面のほぼ全面を覆っている、
発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/38
, H01L 33/64
, H01L 33/62
H01L33/00 210
, H01L33/00 450
, H01L33/00 440
5F141AA03
, 5F141AA04
, 5F141AA22
, 5F141AA33
, 5F141CA04
, 5F141CA13
, 5F141CA34
, 5F141CA93
, 5F141FF11
, 5F142AA42
, 5F142BA02
, 5F142BA32
, 5F142CA11
, 5F142CA13
, 5F142CB03
, 5F142CB12
, 5F142CB23
, 5F142CD02
, 5F142CD44
, 5F142CD49
, 5F142CF03
, 5F142CF23
, 5F142GA11
, 5F142GA21
