特許
J-GLOBAL ID：200903052322850609

発光装置

発明者：
末広 好伸

末広 好伸 について

, 
高谷 繁雄

高谷 繁雄 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-216799
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049342
出願日： 2007年08月23日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】発光素子から発せられる光の吸収損失を抑え、光取り出し効率に優れる発光装置を提供する。【解決手段】フリップチップ型のGaN系半導体材料からなる発光素子としてのLED素子2と、LED素子2を搭載する搭載部としての素子搭載基板3と、素子搭載基板3に形成され、n側電極27及び基板接合電極としての低光学損失のp側パッド電極28を介してLED素子2へ電力を供給するための回路パターン4と、LED素子2を素子搭載基板3上にて封止するガラス封止部5とを備えており、LED素子2と、素子搭載基板3と、回路パターン4と、ガラス封止部5と、によりガラス封止LEDを構成している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明導電膜からなるコンタクト電極と、前記コンタクト電極の表面に設けられて前記コンタクト電極より小なる屈折率を有する透光性誘電体層と、前記コンタクト電極に接続されるパッド電極とを有し、 前記コンタクト電極と前記パッド電極との間の少なくとも一部に前記屈折率誘電体層が介在している発光素子と、 素子搭載面に配線層を有し、前記配線層上に前記発光素子をフリップ実装される基板と、 前記素子搭載面の前記配線層上に搭載された前記発光素子を前記配線層とともに封止する封止部と、 を有することを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (12件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA09 ,  5F041DA47 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM