特許

J-GLOBAL ID：201303079213678888

窒化物半導体層の製造方法

発明者： 彦坂 年輝 ,  原田 佳幸 ,  吉田 学史 ,  杉山 直治 ,  布上 真也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-052343
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187428
特許番号：特許第5319810号
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板の主面の上に、前記主面に対して平行な第1軸の第1格子間隔を有し窒化物半導体の第1下層を形成し、前記第1下層の上に、前記第1格子間隔よりも大きい前記第1軸の第2格子間隔を有し少なくとも一部が圧縮歪みを有する、窒化物半導体の第1上層を形成して、前記第1下層と前記第1上層とを含む第1積層体を形成する工程を備え、 前記第2格子間隔と前記第1格子間隔との差の、前記第1格子間隔に対する比の絶対値は0.005以上0.019以下であり、 前記第1上層の形成は、前記主面に対して平行な方向における前記第1上層の成長速度を、前記主面に対して垂直な方向における前記第1上層の成長速度よりも大きくし、前記第2格子間隔と前記第1格子間隔との前記差に基づく圧縮応力を前記第1上層に印加しつつ前記第1上層を形成することを含み、 前記第1下層は、Alx1Ga1-x1N(0<x1<1)であり、 前記第1上層は、GaNである窒化物半導体層の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 186 ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体の製造方法及び半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298380   出願人：松下電器産業株式会社
• 発光素子および結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-355535   出願人：株式会社東芝
• 半導体積層構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-222151   出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー, 国立大学法人東京大学, 三菱化学株式会社
• 窒化物系III-V族化合物層およびそれを用いた基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-423551   出願人：ソニー株式会社