特許
J-GLOBAL ID：201303079860613771

生成方法、プログラム及び情報処理装置

発明者：
荒井 禎

荒井 禎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-059103
公開番号（公開出願番号）：特開2013-195440
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】露光装置に用いられる補助パターンを含むマスクパターンのデータの生成に有利な技術を提供する。【解決手段】露光装置に用いられるマスクパターンのデータを生成する生成方法であって、前記補助パターンの生成条件を設定する第1ステップと、設定されている主パターンと前記第1ステップの生成条件に従って生成される補助パターンとを含むマスクパターンと、設定されている露光条件とを用いて、投影光学系によって基板に形成されるマスクパターンの像を算出する第2ステップと、算出されたマスクパターン像の良否の指標を示す評価関数の値が許容範囲内であるかを判定する第3ステップと、を有し、前記評価関数の値が前記許容範囲内である場合に、前記マスクパターンのデータとして生成し、前記評価関数の値が前記許容範囲内でない場合に、前記第1ステップにおいて新たな生成条件を再度設定し、前記第2ステップ及び前記第3ステップを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主パターンと補助パターンとを含むマスクパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクパターンのデータを生成する生成方法であって、 前記補助パターンを生成するための生成条件を設定する第1ステップと、 設定されている主パターンと前記第1ステップで設定された生成条件に従って生成される補助パターンとを含むマスクパターンと、設定されている前記露光装置における露光条件とを用いて、前記投影光学系によって前記基板の上に形成されるマスクパターンの像を算出する第2ステップと、 前記第2ステップで算出されたマスクパターンの像の良否についての指標を示す評価関数の値が許容範囲内であるかどうかを判定する第3ステップと、 を有し、 前記評価関数の値が前記許容範囲内であると判定された場合に、前記設定されている主パターンと前記第1ステップで設定された生成条件に従って生成される補助パターンとを含むデータを、前記マスクパターンのデータとして生成し、 前記評価関数の値が前記許容範囲内でないと判定された場合に、前記第1ステップにおいて前記生成条件を変更して新たな生成条件を再度設定し、前記第2ステップ及び前記第3ステップを行うことを特徴とする生成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/70 ,  H01L 21/027 ,  G06T 11/80
FI (3件)：
G03F1/70 ,  H01L21/30 502P ,  G06T11/80 A
Fターム (8件)：
2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5B050BA13 ,  5B050EA07 ,  5B050EA19 ,  5B050EA22 ,  5B050FA02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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