特許
J-GLOBAL ID：201303079900408866

金属酸化物を主成分とする層の堆積方法

発明者：
南 努

南 努 について

, 
忠永 清治

忠永 清治 について


出願人/特許権者：
サン-ゴバン グラス フランス

サン-ゴバン グラス フランス について


代理人 (5件)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  戸田 利雄 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066264
公開番号（公開出願番号）：特開平11-319547
特許番号：特許第4750237号
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a) SnCl2 、SnCl4 、Sn-2-エチルヘキサノエート、Sn(OR)4 又はSnR'(OR)3 (RとR' は炭素含有基)の形態の酸化錫前駆体である少なくとも1種の金属酸化物前駆体、キレート化剤と安定剤の少なくとも1種、及びトリフルオロ酢酸、SbCl3 又はSbCl5 である少なくとも1種のドーパント前駆体を含むゾルを調製し、 (b) 基材(1) の1つの面の少なくとも一部の上に層としてゾルを堆積させ、 (c) 基材(1) の上に層として堆積させたゾルの少なくとも一部に紫外線を照射し、 (d) 少なくとも紫外線を照射したゾルの部分を熱処理する、 各工程を含むことを特徴とする、基材(1)の上に金属酸化物を主成分とする導電性の連続層又は不連続層をゾルゲルを介して堆積させる方法。
IPC (2件)：
B01J 19/12 ( 200 6.01) ,  C03C 17/34 ( 200 6.01)
FI (2件)：
B01J 19/12 G ,  C03C 17/34 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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