磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-209986
公開番号（公開出願番号）：特開2013-073978
出願日： 2011年09月26日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：

【課題】本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。【解決手段】磁気メモリ素子は、磁化が可変の第1の強磁性層と、第1のバンド及び第2のバンドを有する第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化が可変の第1の強磁性層と、価電子帯と伝導帯からなる第1のバンド及び少なくとも前記価電子帯から前記伝導帯において連続する第2のバンドを有する第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記第1の強磁性層と前記第2の磁性層との間に電子を流すことで読み出しを行い、かつ前記第2の強磁性層のフェルミ準位から前記価電子帯のバンド端までのエネルギー差以下のエネルギーに相当する電圧を前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に印加し電子を前記第2の強磁性層から前記第1の強磁性層に向かって流すことで前記第2の強磁性層の第2のバンドのスピンで第1の磁化状態の書き込みを行い、又は前記エネルギー差よりも大きなエネルギーに相当する電圧を前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に印加し、電子を前記第2の強磁性層から前記第1の強磁性層に向かって流すことで前記第2の強磁性層の第1のバンドのスピンで第2の磁化状態の書き込みを行う磁気メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 29/82

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z

Fターム (43件)：

4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119BB13 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD17 , 4M119DD42 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119KK04 , 4M119KK05 , 4M119KK06 , 4M119KK07 , 5F092AA12 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB32 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB38 , 5F092BB40 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC12 , 5F092BC18

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子、磁気記録素子およびこれらを利用した装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-324874 出願人：株式会社日立製作所
スピンメモリおよびスピントランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-065084 出願人：株式会社東芝
スピントランジスタ、このスピントランジスタを備えたリコンフィギャラブル論理回路および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-071946 出願人：株式会社東芝

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