特許
J-GLOBAL ID：201303080832411720
酸化物半導体膜の製造方法、及び酸化物半導体膜
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066257
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197539
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】有効に動作し、且つ、トランジスタを使用開始した時点でのリーク電流値(Ioff1)と安定動作時のリーク電流値(Ioff2)との差と、使用開始時と安定動作時とでの閾値電圧(Vth)のシフト幅とが小さく、リーク電流(Ioff)に対する駆動電流(Ion)の比であるOn-Off比(Ion/Ioff)が高いトランジスタを与える酸化物半導体膜を容易に形成できる、酸化物半導体膜の製造方法と、当該方法により製造された酸化物半導体膜とを提供すること。【解決手段】1)基板上に形成された、酸化物半導体の前駆体薄膜に紫外線を照射する、紫外線照射工程と、2)高周波印加装置により、特定の条件下に紫外線照射された前駆体薄膜を処理して、前駆体薄膜から酸化物半導体膜を形成させる半導体膜形成工程と、を含む方法により酸化物半導体膜を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
以下の工程1)及び2):
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/368
H01L29/78 618A
, H01L29/78 618B
, H01L21/368 Z
5F053AA06
, 5F053AA50
, 5F053DD20
, 5F053LL10
, 5F053PP03
, 5F110AA05
, 5F110AA06
, 5F110AA08
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG01
, 5F110GG25
, 5F110GG41
, 5F110GG42
, 5F110GG58
, 5F110HK04
, 5F110HK32
