特許

J-GLOBAL ID：201303082403542665

半導体発光素子

発明者： 藤本 明 ,  中西 務 ,  北川 良太 ,  中村 健二 ,  布谷 伸仁 ,  鎌倉 孝信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-208279
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069941
出願日： 2011年09月24日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1、第2電極層、第1、第2半導体層、発光層及び第1中間層を含む半導体発光素子が提供される。第1電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が10nm以上5μm以下の複数の貫通孔が設けられている。第2電極層は光反射性である。第1半導体層は、第1電極層と第2電極層との間に設けられ第1導電形である。第2半導体層は第1半導体層と第2電極層との間に設けられ第2導電形である。発光層は、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられる。第1中間層は、第2半導体層と第2電極層との間に設けられ、光透過性である。第1中間層は、複数の第1コンタクト部と、第1非コンタクト部と、を含む。第1非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第1コンタクト部と並置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

円相当直径が10ナノメートル以上5マイクロメートル以下の開口部を有する複数の貫通孔が設けられた金属部を有する第1電極層と、 前記第1電極層と積層された光反射性の第2電極層と、 前記第1電極層と前記第2電極層との間に設けられ第1導電形の第1半導体層と、 前記第1半導体層と前記第2電極層との間に設けられ前記第1導電形とは異なる第2導電形の第2半導体層と、 前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、 前記第2半導体層と前記第2電極層との間に設けられ前記発光層から放出される光に対して透過性を有する第1中間層であって、 前記第2電極層と前記第2半導体層とを電気的にコンタクトさせる複数の第1コンタクト部と、 前記第2電極層から前記第1電極層に向かう積層方向に対して垂直な第1平面内において前記複数の第1コンタクト部と並置され前記第2電極層と前記第2半導体層との間の電気抵抗を前記第1コンタクト部よりも高くする第1非コンタクト部と、 を有する第1中間層と、 を備えた半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/38 ,  H01L 33/40 ,  H01L 33/14

FI (3件)：

H01L33/00 210 ,  H01L33/00 220 ,  H01L33/00 150

Fターム (30件)：

5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F141AA04 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA37 ,  5F141CA40 ,  5F141CA85 ,  5F141CA86 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-553636   出願人：レンゼラーポリテクニックインスティテュート
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-127622   出願人：日立電線株式会社
• 半導体発光素子、およびそれを用いた照明装置、ならびに半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-052809   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-077421   出願人：株式会社東芝