論理回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 諏澤勇司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-232085
公開番号（公開出願番号）：特開2013-089916
出願日： 2011年10月21日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：

【課題】安定した高速動作を実現しつつ、製造工程も簡素化することが可能な論理回路を提供すること。【解決手段】この論理回路1は、バイアス電源とグラウンドとの間で直列に接続され、それぞれのゲート端子に入力電圧が印加される第1及び第2のFET2A,2Bを備える論理回路であって、第1及び第2のFET2A,2BのうちのFET2Aは、ゲート端子が接続されるゲート電極膜17と、半導体材料からなるチャネル層12と、ゲート電極膜17とチャネル層12との間に配置され、電荷を蓄積及び放出する電荷蓄積構造を含む電荷蓄積層16と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バイアス電源とグラウンドとの間で直列に接続され、それぞれのゲート端子に入力電圧が印加される第1及び第2の電界効果トランジスタを備える論理回路であって、前記第1及び第2の電界効果トランジスタのうちの少なくとも1つは、前記ゲート端子が接続されるゲート電極膜と、半導体材料からなるチャネル層と、前記ゲート電極膜と前記チャネル層との間に配置され、電荷を蓄積及び放出する電荷蓄積構造を含む電荷蓄積層と、を有することを特徴とする論理回路。

IPC (12件)：

H01L 27/095 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 27/06 , H03K 19/095

FI (7件)：

H01L29/80 E , H01L29/78 371 , H01L29/80 H , H01L27/08 321C , H01L29/78 301J , H01L27/06 F , H03K19/094 Z

Fターム (60件)：

5F048AB03 , 5F048BA09 , 5F048BA15 , 5F048BD05 , 5F048BD09 , 5F101BA19 , 5F101BA23 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BA53 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD24 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF01 , 5F101BG01 , 5F101BH02 , 5F101BH11 , 5F102FA00 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ05 , 5F102GK06 , 5F102GL05 , 5F102GM06 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR00 , 5F140AB08 , 5F140AC33 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140CD01 , 5J056AA03 , 5J056BB02 , 5J056BB59 , 5J056DD14 , 5J056DD26 , 5J056DD27 , 5J056DD28 , 5J056FF08 , 5J056KK01 , 5J056KK02 , 5J056KK03

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-034946 出願人：サンケン電気株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-059730 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体記憶装置,その製造方法及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-172335 出願人：松下電器産業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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