電界効果半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-034946
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214483
出願日： 2006年02月13日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】オン抵抗の小さいノーマリオフ型HEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うHEMT型電界効果半導体装置は、電子走行層3と電子供給層4とを含む半導体領域5と、この一方の主面上に形成されたソース電極7及びドレイン電極8とを有し、更に、半導体領域5上に第1の絶縁膜9を介して配置されたキャリア蓄積層10と、このキャリア蓄積層10の上に第2の絶縁膜11を介して配置されたゲート電極12を有する。キャリア蓄積層10に蓄積された電子は、ゲート電極12に電圧を加えない状態で2DEG層14を遮断するために働く。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに対向する一方及び他方の主面を有する半導体領域と、前記半導体領域の前記一方の主面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記半導体領域の前記一方の主面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に配置され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をノーマリオフにするためのキャリアを有しているキャリア蓄積層と、前記キャリア蓄積層の上に配置された第2の絶縁膜と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を流れる電流を制御するために前記第2の絶縁膜の上に配置されたゲート電極とを備えていることを特徴とする電界効果半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/06 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/06 301F , H01L21/28 301B , H01L29/50 J

Fターム (31件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102FA09 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GS03 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体素子形成用板状基体及びこの製造方法及びこれを使用した半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-392945 出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (5件)

不揮発性トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-291868 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置およびその書き込み、読み出し方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347699 出願人：富士通株式会社
不揮発性半導体記憶装置および半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-326216 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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