特許
J-GLOBAL ID：201303082757674151

半導体装置

発明者：
上妻 宗広

上妻 宗広 について

, 
黒川 義元

黒川 義元 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-164458
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253368
出願日： 2012年07月25日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：
【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する第1のトランジスタと、電気信号を増幅する第2のトランジスタとを有し、受光素子はシリコン半導体を用いて形成され、第1のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されている。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するn層又はp層と、第1のトランジスタとが重なって形成されている。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
フォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記フォトダイオードは、半導体層を含み、 前記半導体層は、n型の領域と、p型の領域と、を有し、 前記n型の領域と、前記p型の領域とは、同一面に接して設けられ、 前記第1のトランジスタは、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を転送する機能を有し、 前記第2のトランジスタは、前記転送された電気信号を増幅する機能を有し、 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間、及び、前記第1のトランジスタと前記フォトダイオードとの間には、絶縁層が設けられ、 前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を有し、 前記n型の領域及び前記p型の領域の一方は、前記第1のトランジスタと重なることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/136
FI (3件)：
H01L27/14 C ,  G02F1/1333 ,  G02F1/136
Fターム (39件)：
2H092GA59 ,  2H092GA62 ,  2H092JA05 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092KA03 ,  2H092KA07 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H189AA15 ,  2H189HA16 ,  2H189LA08 ,  2H189LA10 ,  2H189LA27 ,  2H189LA31 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118CB14 ,  4M118DB09 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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