特許

J-GLOBAL ID：201303082956887369

表示装置および電子機器

発明者： 諸沢 成浩 ,  荒井 俊明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278266
公開番号（公開出願番号）：特開2013-130615
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、前記トランジスタおよび保持容量素子と前記表示素子との間に設けられた層間絶縁膜とを備え、前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域に最も近い層として無機絶縁膜を含む多層構造を有し、前記保持容量素子は、前記無機絶縁膜を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜の反対側に設けられた導電膜を他方の電極として有する表示装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、前記トランジスタおよび保持容量素子と前記表示素子との間に設けられた層間絶縁膜とを備え、 前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、 前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域に最も近い層として無機絶縁膜を含む多層構造を有し、 前記保持容量素子は、前記無機絶縁膜を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜の反対側に設けられた導電膜を他方の電極として有する 表示装置。

IPC (6件)：

G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14

FI (7件)：

G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616V ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z

Fターム (103件)：

2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA39 ,  2H092JA43 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB64 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA22 ,  2H092KB04 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092NA01 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB06 ,  3K107CC33 ,  3K107CC35 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD04 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107HH05 ,  5C094AA02 ,  5C094AA04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5C094JA20 ,  5F110AA02 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ15 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ22 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-245035   出願人：ソニー株式会社
• アクティブマトリクス型表示回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-308684   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-198549   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-273056   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-011690   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-063454   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所