エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-171635
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038152
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。【解決手段】チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハWの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置1であって、天板3の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板3の下面に近接して配置された遮蔽板12は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、ガス導入口9を反応空間Kの内側に臨ませる開口部12を中央部に有して、この開口部12を中心に同心円状に複数のリング板16,17,18に分割された構造を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置であって、前記ウェハが載置される複数の載置部を有して、これら複数の載置部が周方向に並んで配置されたサセプタと、前記サセプタとの間で反応空間を形成するように、前記サセプタの上面に対向して配置された天板と、前記サセプタの下面側及び/又は前記天板の上面側に配置されて、前記載置部に載置されたウェハを加熱する加熱手段と、前記天板の上面中央部から前記反応空間内に前記原料ガスを導入するガス導入口を有して、このガス導入口から放出された原料ガスを前記反応空間の内側から外側に向かって供給するガス供給手段と、前記天板の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、前記天板の下面に近接して配置された遮蔽板とを備え、前記遮蔽板は、前記チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、前記ガス導入口を前記反応空間の内側に臨ませる開口部を中央部に有して、この開口部を中心に同心円状に複数のリング板に分割された構造を有することを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/42 , C23C 16/46 , C30B 29/36 , C30B 25/08

FI (6件)：

H01L21/205 , C23C16/44 J , C23C16/42 , C23C16/46 , C30B29/36 A , C30B25/08

Fターム (33件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077EG14 , 4G077EG21 , 4G077EG25 , 4G077TA04 , 4G077TA11 , 4G077TA12 , 4G077TD02 , 4G077TF06 , 4G077TG07 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AF02 , 5F045BB15 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EK03

引用特許：

審査官引用 (4件)

気相成長装置及び気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-006575 出願人：大陽日酸株式会社
気相成長装置、気相成長装置における対向面部材またはサセプタ上面カバー取外し方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-109862 出願人：大陽日酸株式会社, 大陽日酸イー・エム・シー株式会社
CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-213465 出願人：株式会社デンソー

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