特許

J-GLOBAL ID：201303085802263205

磁気抵抗効果素子及びMRAM

発明者： 鈴木 哲広
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-084001
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168667
出願日： 2013年04月12日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】スピン注入方式の磁気抵抗効果素子に対する書き込み電流を低減すること。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化方向が第1方向に固定された第1磁化固定層と、磁化方向が第1方向と逆の第2方向に固定された第2磁化固定層と、磁化容易軸方向が第1方向及び第2方向と平行な磁化自由層と、を備える。第1磁化固定層は、第1領域で、非磁性層を介して磁化自由層に接続されている。第2磁化固定層は、磁化容易軸方向において第1領域から離れた第2領域で、非磁性層を介して磁化自由層に接続されている。書き込み電流は、磁化自由層を通して第1磁化固定層と第2磁化固定層との間に流される。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

スピン注入方式の磁気抵抗効果素子であって、 磁化方向が第1方向に固定された第1書き込み磁化固定層と、 磁化方向が前記第1方向と逆向きの第2方向に固定された第2書き込み磁化固定層と、 磁化容易軸方向が前記第1方向及び前記第2方向と平行である磁化自由層と を備え、 前記第1書き込み磁化固定層は、第1領域において、第1書き込み非磁性層を介して前記磁化自由層に接続されており、 前記第2書き込み磁化固定層は、前記磁化容易軸方向において前記第1領域から離れている第2領域において、第2書き込み非磁性層を介して前記磁化自由層に接続されており、 データ書き込み時、書き込み電流は、前記磁化自由層を通して前記第1書き込み磁化固定層と前記第2書き込み磁化固定層との間に流される 磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (6件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 150

Fターム (31件)：

4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD26 ,  4M119DD43 ,  4M119DD52 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  5F092AA01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB07 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC47

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 記憶素子、メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-340902   出願人：ソニー株式会社
• スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-156406   出願人：株式会社東芝
• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• スピン注入型磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-087950   出願人：ソニー株式会社