半導体ダイオード装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：酒井宏明 , 田代至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-090930
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219306
出願日： 2012年04月12日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】低い順方向電圧降下と低いリーク電流とを同時に実現できる半導体ダイオード装置を提供すること。【解決手段】ワイドバンドギャップ型半導体材料で構成された、ノーマリオン型の高耐圧トランジスタと、前記高耐圧トランジスタに直列に接続し、前記高耐圧トランジスタよりも耐圧が低く、かつしきい値電圧が0.3V以上、1V以下であるMOSFETと、を備え、前記MOSFETのゲートとソースとが、接続されている半導体ダイオード装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ワイドバンドギャップ型半導体材料で構成されたノーマリオン型の高耐圧トランジスタと、前記高耐圧トランジスタに直列に接続し、前記高耐圧トランジスタよりも耐圧が低く、かつしきい値電圧が0.3V以上、1V以下であるMOSFETと、を備え、前記MOSFETのゲートとソースとが接続されていることを特徴とする半導体ダイオード装置。

IPC (12件)：

H01L 27/095 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 27/098 , H01L 29/808 , H01L 23/48 , H01L 29/861 , H01L 29/868

FI (8件)：

H01L29/80 E , H01L27/06 102A , H01L29/80 H , H01L29/80 C , H01L29/80 V , H01L27/06 F , H01L23/48 F , H01L29/91 L

Fターム (26件)：

5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC02 , 5F048AC06 , 5F048AC09 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BC12 , 5F048BD05 , 5F102FA10 , 5F102GA05 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC01 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12

引用特許：

審査官引用 (6件)

整流素子を含む複合半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-031103 出願人：サンケン電気株式会社
表示パネルの駆動装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132355 出願人：ローム株式会社
半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140293 出願人：株式会社東芝

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