特許
J-GLOBAL ID：200903072022856916

窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法ならびに窒化物半導体発光素子

発明者：
堀江 秀善

堀江 秀善 について

, 
栗原 香

栗原 香 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (3件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297173
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239250
出願日： 2008年11月20日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】表面モルフォロジと光学特性がともに良好で、しかも発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。【解決手段】m面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程におけるメインフローを構成するガス(基体の窒化物主面が暴露される雰囲気)、第1および第2の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス(基体の窒化物主面が暴露される雰囲気)を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とし、かつ、窒化物半導体層の成長開始時にはSi源を供給しないこととした。このため、エピタキシャル基体の窒化物表面近傍からの窒素原子の脱離が生じず、エピタキシャル膜への欠陥導入が抑制される。また、平坦性に優れた表面モルフォロジを有するエピタキシャル成長が可能となる。【選択図】図2(A)
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の主面が非極性の窒化物である基体の窒化物主面上に窒化物半導体を結晶成長させる方法であって、 前記基体の窒化物主面を不活性ガスを含む雰囲気に暴露した状態で該基体を所定の温度まで昇温する期間tAを含む昇温工程と、 前記基体の窒化物主面を不活性ガスを含む雰囲気に暴露した状態で該基体の窒化物主面上にシリコン(Si)原料を意図的に供給することなく第1の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第1の成長工程と、 前記第1の窒化物半導体層表面を不活性ガスを含む雰囲気に暴露した状態で該第1の窒化物半導体層上にn型ドーパント原料を供給しながら第2の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第2の成長工程とを備えている窒化物半導体の結晶成長方法。
IPC (5件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/14
FI (5件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/14
Fターム (60件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AF04 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DA67 ,  5F045EE18 ,  5F045EK26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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