ミスカット基板上に成長した平面型非極性M平面III族窒化物薄膜

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-520332
公開番号（公開出願番号）：特表2010-536181
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

基板のミスカット角上に成長する非極性III族窒化物薄膜。<000-1>方向に向かうミスカット角は、0.75°以上であり、<000-1>方向に向かう27°未満である。表面起伏は、抑えられ、面のある角錐を備え得る。薄膜を用いて製作されるデバイスもまた開示される。非極性III族窒化物薄膜の表面起伏を抑えるために非極性III族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角を選択することを包含する方法を用いて製作される、滑らかな表面形態構造を有する非極性III族窒化物薄膜。非極性III族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角上に成長する滑らかな表面形態構造を有する薄膜上に成長する非極性III族窒化物ベースのデバイス。ミスカット角はまた、非極性薄膜からの長波長発光を達成するために選択され得る。

請求項（抜粋）：

基板のミスカット上に成長した非極性III族窒化物薄膜であって、該基板の該ミスカットは、該基板の非極性平面に対するミスカット角の角度に置かれた表面を提供し、該非極性III族窒化物薄膜成長の上部表面は、該表面に実質的に平行である、非極性III族窒化物薄膜。

IPC (6件)：

H01L 33/32 , C30B 29/38 , C30B 25/20 , C23C 16/34 , H01S 5/343 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L33/00 186 , C30B29/38 D , C30B25/20 , C23C16/34 , H01S5/343 610 , H01L21/205

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB02 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045GB11 , 5F045GB12 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AR84

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化ガリウム系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-318336 出願人：三星電子株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-030281 出願人：松下電器産業株式会社
GaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-132035 出願人：住友電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Two-step epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by MOCVD

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