特許
J-GLOBAL ID：201303087068904796

蓄積電荷シンクを用いてMOSFETの線形性を改善することに使用される方法及び装置

発明者：
ブリンドル,クリストファー,エヌ

ブリンドル,クリストファー,エヌ について

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スチューバー,マイケル,エイ

スチューバー,マイケル,エイ について

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ケリー,ディラン,ジェイ

ケリー,ディラン,ジェイ について

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ケマーリング,クリント,エル

ケマーリング,クリント,エル について

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イムサーン,ジョージ,ピー

イムサーン,ジョージ,ピー について

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ウェルスタンド,ロバート,ビー

ウェルスタンド,ロバート,ビー について

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バーゲナー,マーク,エル

バーゲナー,マーク,エル について


出願人/特許権者：
ペレグリン セミコンダクター コーポレイション

ペレグリン セミコンダクター コーポレイション について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003388
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138211
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】 蓄積電荷シンク(ACS)を用いてMOSFETの線形性を改善する方法及び装置が開示される。【解決手段】 この方法及び装置は、SOI型MOSFET内の蓄積電荷を除去、低減あるいはその他の方法で制御し、それによりFET性能の改善をもたらす。典型的な一実施形態において、少なくとも1つのSOI型MOSFETを有する回路は、蓄積電荷レジームで動作するように構成される。SOI型MOSFETのボディに動作可能に結合されたACSが、該FETが蓄積電荷レジームで動作するときの蓄積電荷を排除、除去あるいはその他の方法で制御し、それによりSOI型MOSFETのオフ状態での寄生ソース-ドレイン間容量の非線形性を低減させる。SOI型MOSFETを用いて実現されるRFスイッチング回路において、SOI型MOSFETが蓄積電荷レジームで動作するときの蓄積電荷を除去あるいはその他の方法で制御することによって、高調波歪み及び相互変調歪みが低減される。【選択図】図3C
請求項（抜粋）：
蓄積電荷制御型のフローティングボディ型MOSFET(ACC型MOSFET)という、当該MOSFETが蓄積電荷レジームで動作しているときの当該MOSFETの非線形応答を制御するように適応されたACC型MOSFETであって: a)フローティングのボディを有するMOSFETであり、選択的に前記蓄積電荷レジームで動作し、前記蓄積電荷レジームで動作するときに前記ボディ内に蓄積電荷が存在するMOSFET;及び b)前記MOSFETの前記ボディに動作可能に結合された蓄積電荷シンク(ACS)であり、前記ボディ内の前記蓄積電荷を除去あるいは制御する蓄積電荷シンク; を有するACC型MOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H03K 17/687
FI (6件)：
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 617K ,  H03K17/687 G
Fターム (28件)：
5F110AA30 ,  5F110BB13 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG23 ,  5F110GG24 ,  5F110GG34 ,  5F110GG37 ,  5F110GG60 ,  5F110NN62 ,  5J055BX05 ,  5J055BX17 ,  5J055CX03 ,  5J055DX13 ,  5J055EY21 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX06 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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