特許
J-GLOBAL ID:201303088046690918
導電性積層体、導電性積層体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人湘洋内外特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-115674
公開番号(公開出願番号):特開2013-243045
出願日: 2012年05月21日
公開日(公表日): 2013年12月05日
要約:
【課題】基板中に金属原子が拡散する可能性のある基板上に対し金属原子の拡散を抑え、基板との密着強度が十分得られる導電性膜を積層させた導電性積層体とその製造法を提供する。【解決手段】基板10上に積層される導電性積層体20であって、前記基板10上に、バリア層1と、銅粉末21を含有する金属粒子層2と、無電解めっき層3とが、少なくともこの順で積層されており、前記銅粉末21が、SEM観察による平均粒子径が0.05〜2μmであり、BET比表面積値(SSA)(m2/g)と炭素含量(C)(重量%)が下記式[1]の関係にある導電性積層体20。[1]:C/SSA≦7×10-2【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に積層される導電性積層体であって、
前記基板上に、バリア層と、銅粉末を含有する金属粒子層と、無電解めっき層とが、少なくともこの順で積層されており、
前記銅粉末が、SEM観察による平均粒子径が0.05〜2μmであり、BET比表面積値(SSA)(m2/g)と炭素含量(C)(重量%)が下記式[1]の関係にある導電性積層体。
C/SSA≦7×10-2・・・・[1]
IPC (9件):
H01B 5/14
, H01B 13/00
, B32B 15/18
, C23C 18/16
, C23C 18/50
, C23C 18/36
, C23C 18/44
, C23C 28/02
, C25D 7/00
FI (11件):
H01B5/14 Z
, H01B13/00 503C
, H01B13/00 503Z
, B32B15/18
, C23C18/16 A
, C23C18/16 B
, C23C18/50
, C23C18/36
, C23C18/44
, C23C28/02
, C25D7/00 J
Fターム (57件):
4F100AA37C
, 4F100AB01B
, 4F100AB01C
, 4F100AB16B
, 4F100AB17C
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100DE01C
, 4F100EH71B
, 4F100EH71D
, 4F100EH71E
, 4F100EJ12E
, 4F100EJ54
, 4F100JD01B
, 4F100JG01
, 4F100YY00C
, 4K022AA01
, 4K022AA15
, 4K022AA42
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA18
, 4K022BA31
, 4K022BA32
, 4K022BA36
, 4K022CA24
, 4K022DA01
, 4K022EA04
, 4K024AA09
, 4K024AA11
, 4K024AA12
, 4K024AB03
, 4K024BA11
, 4K024BA12
, 4K024BB11
, 4K024DA10
, 4K024GA16
, 4K044AA11
, 4K044AA16
, 4K044BA06
, 4K044BA08
, 4K044BB06
, 4K044BB11
, 4K044BC14
, 4K044CA15
, 4K044CA18
, 4K044CA22
, 4K044CA29
, 4K044CA53
, 5G307GA02
, 5G307GA06
, 5G307GB02
, 5G307GC02
, 5G323AA03
引用特許:
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