特許
J-GLOBAL ID:201303088224673178

樹脂封止型半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人SSINPAT
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-241705
公開番号(公開出願番号):特開2013-048284
出願日: 2012年11月01日
公開日(公表日): 2013年03月07日
要約:
【課題】コストの低減および品質の向上を図るため、樹脂シートを用いた半導体素子の封止方法において、樹脂シートの汎用性が高く、また得られるパッケージ端面の形状が一定であり、かつ装置の小型化が可能な方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップ11が搭載された回路基板10を準備する工程、回路基板の平面形状よりもやや大きな開口部を有する枠体4に、半導体封止用樹脂シート1を張設した状態で、該半導体封止用樹脂シートの封止樹脂層3を、該回路基板の半導体チップ搭載面の凹凸、隙間に埋め込み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させる工程、および該回路基板を封止樹脂層とともに半導体チップ毎に切断する工程を含み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させる工程後などに、封止樹脂層の熱硬化を行う工程を含む。【選択図】図4
請求項(抜粋):
複数の半導体チップが搭載された回路基板を準備する工程、 回路基板の平面形状よりもやや大きな開口部を有する枠体に、支持シートと、該支持シートの片面全面に剥離可能に積層されてなる熱硬化性の封止樹脂層とからなる半導体封止用樹脂シートを張設した状態で、該半導体封止用樹脂シートの封止樹脂層を、該回路基板の半導体チップ搭載面の凹凸、隙間に埋め込み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させる工程、および 該回路基板を封止樹脂層とともに半導体チップ毎に切断する工程を含み、 封止樹脂層面を回路基板面に接触させる工程後および/または回路基板を封止樹脂層とともに半導体チップ毎に切断する工程後に、封止樹脂層の熱硬化を行う工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/56
FI (1件):
H01L21/56 R
Fターム (4件):
5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA26 ,  5F061CB13
引用特許:
出願人引用 (5件)
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