特許
J-GLOBAL ID：201303089840418005

半導体装置の製造方法に用いる接着シート及び当該接着シートを用いて得られる半導体装置

発明者：
三隅 貞仁

三隅 貞仁 について

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松村 健

松村 健 について

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細川 和人

細川 和人 について

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近藤 広行

近藤 広行 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-092101
公開番号（公開出願番号）：特開2012-165003
特許番号：特許第5187923号
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子を被着体上に、完全に硬化させることなく接着シートを介して仮固着する仮固着工程と、 前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、 150°C〜200°Cの範囲内で封止樹脂を加熱することにより硬化させて、前記半導体素子を封止する封止工程とを含み、 前記半導体素子と被着体との固着は、前記封止工程で、前記接着シートを完全に硬化させることにより行われるか、又は さらに前記封止樹脂の後硬化を行う後硬化工程を含み、当該後硬化工程で、前記接着シートを完全に硬化させることにより行われる半導体装置の製造方法に使用される接着シートであって、 完全に熱硬化する前の175°Cでの損失弾性率が2000Pa以上であり、 前記封止工程の際に前記接着シートの流動性を低下させて固着の状態に近づけ、前記封止工程において加わる圧力により前記半導体素子と被着体との間の空隙を低減させることを特徴とする接着シート。
IPC (4件)：
H01L 21/52 ( 200 6.01) ,  H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/52 E ,  H01L 25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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