特許
J-GLOBAL ID：201303091219541108

電荷蓄積型メモリ装置

発明者：
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-007608
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149694
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】電荷蓄積層を有する半導体メモリ装置の集積度を高め、動作電圧を下げる。【解決手段】コントロールゲート104に窒化インジウム、窒化亜鉛等の仕事関数が5.4電子ボルト以上6.5電子ボルト以下の高仕事関数化合物半導体を用いる。その結果、コントロールゲート104と接するブロッキング絶縁膜106とのバリヤが高く広くなり、電荷蓄積層103への電荷の注入・引き出しにおいて、電荷蓄積層103とコントロールゲート104の間の電荷の移動を抑制できる。また、ブロッキング絶縁膜106をより薄くできるので、電荷の注入・引き出しに必要な電圧を下げることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ブロッキング絶縁膜とそれに接するコントロールゲートを有し、前記コントロールゲートが、インジウムあるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有する仕事関数が5.4電子ボルト以上6.5電子ボルト以下のn型半導体を有することを特徴とする電荷蓄積型メモリ装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  C23C16/34
Fターム (66件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA11 ,  4K030BA21 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP62 ,  5F083EP63 ,  5F083EP64 ,  5F083EP67 ,  5F083EP68 ,  5F083EP69 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER14 ,  5F083ER23 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA51 ,  5F083KA01 ,  5F083LA02 ,  5F083LA16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD09 ,  5F101BD10 ,  5F101BD14 ,  5F101BD16 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD34 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BH01 ,  5F101BH02 ,  5F101BH11
引用特許：
審査官引用 (7件)
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